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V. V. Volkov V. P. Ivanova Yu. S. Kuz’michev S. A. Lermontov Yu. V. Solov’ev D. A. Baranov A. P. Kaidash D. M. Krasovitskii M. V. Pavlenko S. I. Petrov Yu. V. Pogorel’skii I. A. Sokolov M. A. Sokolov M. V. Stepanov V. P. Chalyi 《Technical Physics Letters》2004,30(5):380-382
The experimental technology and characteristics of domestic AlGaN/GaN high electron mobility transistors are described. The results show good prospects for further development. 相似文献
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